TRS6V65H,LQ_DFN8X8_碳化硅二極管_HXY MOSFET(華軒陽電子)

品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：DFN8X8 類別：碳化硅二極管最小包裝：3000/圓盤參數1：IF:6A 參數2：VR:650V 參數3：VF:1.32V 參數4：二極管配置:獨立式標價：歡迎咨詢

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產品介紹

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該碳化硅二極管為獨立式器件，具備6A的正向電流（IF）和650V的反向耐壓（VR），適用于中高壓功率轉換場合。其正向導通壓降（VF）為1.32V，相較于傳統硅器件具有更低的導通損耗。得益于碳化硅材料的特性，該二極管具備優異的高溫穩定性和快速反向恢復能力，可有效提升系統效率并減少散熱需求。主要應用于高效開關電源、光伏逆變裝置、儲能系統能量轉換模塊以及高頻率DC-DC變換器，適合在空間受限且對熱性能和能效有較高要求的電路設計中作為關鍵整流元件使用。

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深圳市華軒陽電子有限公司

高新企業

聯系人：張婉儀
聯系電話：18929373249
聯系地址：深圳市福田區中航路7-1號鼎誠國際大廈2013-2014

TRS6V65H,LQ_DFN8X8_碳化硅二極管_HXY MOSFET(華軒陽電子)

品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：DFN8X8 類別：碳化硅二極管 最小包裝：3000/圓盤 參數1：IF:6A 參數2：VR:650V 參數3：VF:1.32V 參數4：二極管配置:獨立式 標價：歡迎咨詢

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品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：DFN8X8 類別：碳化硅二極管最小包裝：3000/圓盤參數1：IF:6A 參數2：VR:650V 參數3：VF:1.32V 參數4：二極管配置:獨立式標價：歡迎咨詢