IXFP22N65X2M-HXY_TO-220F_碳化硅場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)

品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-220F 類別：碳化硅場效應管(MOSFET) 最小包裝：50/管裝參數1：ID:24A 參數2：VDSS:650V 參數3：RDON:110mR 參數4：VGS:VGS:-4/+18VV 標價：歡迎咨詢

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產品介紹

該N溝道碳化硅MOSFET具備650V的漏源擊穿電壓（VDSS）和24A的連續漏極電流（ID），導通電阻（RDS(on)）低至110mΩ，有助于減少導通損耗。柵源電壓范圍為-4V至!8V，支持穩定可靠的柵極驅動控制。基于碳化硅材料的特性，器件具備優異的高頻開關能力，同時降低開關過程中的能量損耗與溫升。適用于高效率電源轉換系統，如大功率開關電源、高壓直流變換裝置、可再生能源發電中的逆變單元以及高功率密度電源模塊，滿足對系統效率和散熱性能有較高要求的應用場景。

企業聯系方式

深圳市華軒陽電子有限公司

高新企業

聯系人：張婉儀
聯系電話：18929373249
聯系地址：深圳市福田區中航路7-1號鼎誠國際大廈2013-2014

IXFP22N65X2M-HXY_TO-220F_碳化硅場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)

品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-220F 類別：碳化硅場效應管(MOSFET) 最小包裝：50/管裝 參數1：ID:24A 參數2：VDSS:650V 參數3：RDON:110mR 參數4：VGS:VGS:-4/+18VV 標價：歡迎咨詢

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品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-220F 類別：碳化硅場效應管(MOSFET) 最小包裝：50/管裝參數1：ID:24A 參數2：VDSS:650V 參數3：RDON:110mR 參數4：VGS:VGS:-4/+18VV 標價：歡迎咨詢