B1D10065K_TO-220C-2L_碳化硅二極管_HXY MOSFET(華軒陽電子)

品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-220C-2L 類別：碳化硅二極管最小包裝：50/管裝參數(shù)1：IF:10A 參數(shù)2：VR:650V 參數(shù)3：VF:1.38V 參數(shù)4：二極管配置:獨立式標價：歡迎咨詢

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產(chǎn)品介紹

該碳化硅二極管為獨立式單管結(jié)構(gòu)，額定正向電流（IF）為10A，反向耐壓（VR）達650V，具備較高的電壓裕度和電流承載能力。其正向?qū)▔航担╒F）典型值為1.38V，在同類器件中表現(xiàn)出較低的導通損耗，有助于提升系統(tǒng)效率。基于碳化硅材料的優(yōu)異特性，該二極管具有快速反向恢復能力，可有效減少開關(guān)過程中的能量損耗，適用于高頻、高效率的電源轉(zhuǎn)換電路，如大功率開關(guān)電源、儲能系統(tǒng)中的整流模塊以及高性能逆變裝置。

企業(yè)聯(lián)系方式

深圳市華軒陽電子有限公司

高新企業(yè)

聯(lián) 系人：張婉儀
聯(lián)系電話：18929373249
聯(lián)系地址：深圳市福田區(qū)中航路7-1號鼎誠國際大廈2013-2014

B1D10065K_TO-220C-2L_碳化硅二極管_HXY MOSFET(華軒陽電子)

品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-220C-2L 類別：碳化硅二極管 最小包裝：50/管裝 參數(shù)1：IF:10A 參數(shù)2：VR:650V 參數(shù)3：VF:1.38V 參數(shù)4：二極管配置:獨立式 標價：歡迎咨詢

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品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-220C-2L 類別：碳化硅二極管最小包裝：50/管裝參數(shù)1：IF:10A 參數(shù)2：VR:650V 參數(shù)3：VF:1.38V 參數(shù)4：二極管配置:獨立式標價：歡迎咨詢