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              FCPF11N65-HXY_TO-220F_碳化硅場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)

              品牌:HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝:TO-220F 類別:碳化硅場效應管(MOSFET) 最小包裝:50/管裝 參數1:ID:15A 參數2:VDSS:650V 參數3:RDON:260mR 參數4:VGS:-5~+16V 標價:歡迎咨詢

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              產品介紹

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              本款N溝道碳化硅場效應管具有650V的漏源擊穿電壓(VDSS)和15A的額定漏極電流(ID),導通電阻(RDON)為260mΩ,在高溫與高電壓工作環境下仍能保持良好性能。柵源電壓范圍-5V至!6V,支持穩定柵極驅動控制。碳化硅材料的應用顯著提升了器件的開關速度與耐熱性,有助于減小系統能量損耗。適用于高效率電源轉換設備、不間斷電源系統、太陽能逆變模塊及緊湊型高頻功率電路設計,滿足對功率密度與長期可靠性要求較高的應用場景。

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