SIHA15N60E-E3-HXY_TO-220F_碳化硅場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)

品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-220F 類別：碳化硅場效應管(MOSFET) 最小包裝：50/管裝參數1：ID:20A 參數2：VDSS:650V 參數3：RDON:160mR 參數4：VGS:-5~+16V 標價：歡迎咨詢

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產品介紹

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該N溝道碳化硅場效應管具備650V的漏源耐壓（VDSS）和20A的連續漏極電流（ID）能力，導通電阻（RDS(on)）低至160mΩ，可有效降低導通損耗，提升系統效率。其柵源電壓范圍為-5V至!6V，確保了器件的可靠關斷與穩定導通。采用寬禁帶半導體材料，具備優異的高頻開關特性與高溫工作能力，適用于高功率密度電源轉換場景，如高效開關電源、太陽能逆變裝置及高頻率DC-DC變換器，有助于減小無源器件體積并提升整體能效水平。

企業聯系方式

深圳市華軒陽電子有限公司

高新企業

聯系人：張婉儀
聯系電話：18929373249
聯系地址：深圳市福田區中航路7-1號鼎誠國際大廈2013-2014

SIHA15N60E-E3-HXY_TO-220F_碳化硅場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)

品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-220F 類別：碳化硅場效應管(MOSFET) 最小包裝：50/管裝 參數1：ID:20A 參數2：VDSS:650V 參數3：RDON:160mR 參數4：VGS:-5~+16V 標價：歡迎咨詢

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品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-220F 類別：碳化硅場效應管(MOSFET) 最小包裝：50/管裝參數1：ID:20A 參數2：VDSS:650V 參數3：RDON:160mR 參數4：VGS:-5~+16V 標價：歡迎咨詢