MSJPF20N65A-BP-HXY_TO-220F_碳化硅場效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)

品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-220F 類別：碳化硅場效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：50/管裝參數(shù)1：ID:20A 參數(shù)2：VDSS:650V 參數(shù)3：RDON:160mR 參數(shù)4：VGS:-5~+16V 標價：歡迎咨詢

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產(chǎn)品介紹

該N溝道碳化硅MOSFET具有650V的漏源擊穿電壓（VDSS）和20A的連續(xù)漏極電流（ID），導(dǎo)通電阻（RDON）低至160mΩ，有助于降低導(dǎo)通損耗。柵源電壓（VGS）支持-5V至!6V范圍，確保器件在驅(qū)動電路中的穩(wěn)定開通與關(guān)斷。采用碳化硅材料，具備優(yōu)異的高頻開關(guān)特性、耐高溫性能和較低的開關(guān)損耗。適用于高效率電源轉(zhuǎn)換系統(tǒng)，如大功率開關(guān)電源、高壓DC-DC變換器、儲能系統(tǒng)逆變單元及高密度電源模塊，可提升系統(tǒng)整體能效和功率密度。

企業(yè)聯(lián)系方式

深圳市華軒陽電子有限公司

高新企業(yè)

聯(lián) 系人：張婉儀
聯(lián)系電話：18929373249
聯(lián)系地址：深圳市福田區(qū)中航路7-1號鼎誠國際大廈2013-2014

MSJPF20N65A-BP-HXY_TO-220F_碳化硅場效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)

品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-220F 類別：碳化硅場效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：50/管裝 參數(shù)1：ID:20A 參數(shù)2：VDSS:650V 參數(shù)3：RDON:160mR 參數(shù)4：VGS:-5~+16V 標價：歡迎咨詢

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品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-220F 類別：碳化硅場效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：50/管裝參數(shù)1：ID:20A 參數(shù)2：VDSS:650V 參數(shù)3：RDON:160mR 參數(shù)4：VGS:-5~+16V 標價：歡迎咨詢