CDMSJ22010-650SL-HXY_TO-220F_碳化硅場效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)

品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-220F 類別：碳化硅場效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：50/管裝參數(shù)1：ID:15A 參數(shù)2：VDSS:650V 參數(shù)3：RDON:260mR 參數(shù)4：VGS:-5~+16V 標(biāo)價(jià)：歡迎咨詢

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產(chǎn)品介紹

本款N溝道碳化硅場效應(yīng)管具有15A的漏極電流（ID）和650V的漏源電壓（VDSS），導(dǎo)通電阻為260mΩ，支持-5V至!6V的柵源電壓（VGS）范圍，確保良好的開關(guān)控制與器件可靠性。得益于碳化硅材料的高臨界電場和熱導(dǎo)率，該器件具備優(yōu)異的耐壓性能、高頻工作能力及高溫穩(wěn)定性。適用于高功率密度的電力電子系統(tǒng)，如高效能電源轉(zhuǎn)換裝置、可再生能源發(fā)電中的逆變設(shè)備、高壓直流變換模塊及緊湊型開關(guān)電源設(shè)計(jì)，適合對系統(tǒng)效率和熱管理有較高要求的應(yīng)用場景。

企業(yè)聯(lián)系方式

深圳市華軒陽電子有限公司

高新企業(yè)

聯(lián) 系人：張婉儀
聯(lián)系電話：18929373249
聯(lián)系地址：深圳市福田區(qū)中航路7-1號鼎誠國際大廈2013-2014

CDMSJ22010-650SL-HXY_TO-220F_碳化硅場效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)

品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-220F 類別：碳化硅場效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：50/管裝 參數(shù)1：ID:15A 參數(shù)2：VDSS:650V 參數(shù)3：RDON:260mR 參數(shù)4：VGS:-5~+16V 標(biāo)價(jià)：歡迎咨詢

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