P3D06006G2_TO-263N_碳化硅二極管_HXY MOSFET(華軒陽電子)

品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-263N 類別：碳化硅二極管最小包裝：800/圓盤參數1：IF:6A 參數2：VR:650V 參數3：VF:1.36V 參數4：二極管配置:獨立式標價：歡迎咨詢

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產品介紹

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該碳化硅二極管采用獨立式配置，具備6A的正向電流（IF）和650V的反向重復峰值電壓（VR），正向壓降（VF）低至1.36V。器件利用碳化硅材料特性，實現快速開關速度與高溫度穩定性，反向漏電流小，有助于提升系統轉換效率并降低散熱需求。其封裝設計利于散熱與電路集成，適用于高頻率、高效率的電源轉換場景，如開關模式電源、功率因數校正電路及直流-直流轉換器等，能夠在嚴苛環境下穩定工作，提升整體系統可靠性。

企業聯系方式

深圳市華軒陽電子有限公司

高新企業

聯系人：張婉儀
聯系電話：18929373249
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P3D06006G2_TO-263N_碳化硅二極管_HXY MOSFET(華軒陽電子)

品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-263N 類別：碳化硅二極管 最小包裝：800/圓盤 參數1：IF:6A 參數2：VR:650V 參數3：VF:1.36V 參數4：二極管配置:獨立式 標價：歡迎咨詢

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品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-263N 類別：碳化硅二極管最小包裝：800/圓盤參數1：IF:6A 參數2：VR:650V 參數3：VF:1.36V 參數4：二極管配置:獨立式標價：歡迎咨詢