YJD212080NCFG1Q_TO-247-4L_碳化硅場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)

品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-247-4L 類別：碳化硅場效應管(MOSFET) 最小包裝：30/管裝參數1：ID:32A 參數2：VDSS:1200V 參數3：RDON:75mR 參數4：TYPE:N-ch 標價：歡迎咨詢

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產品介紹

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本產品為高性能碳化硅（SiC）N溝道場效應晶體管（MOSFET），具備優異的導電性能和穩定的耐壓特性。其漏極電流ID為32A，漏源擊穿電壓VDSS為1200V，導通電阻RDON為75mΩ，能夠在高頻率和高電壓環境下實現較低的導通損耗與開關損耗。適用于高效電源轉換、可再生能源系統、智能電網設備及高密度電力電子模塊，為多種高要求場景下的電力控制與傳輸提供可靠支持。

企業聯系方式

深圳市華軒陽電子有限公司

高新企業

聯系人：張婉儀
聯系電話：18929373249
聯系地址：深圳市福田區中航路7-1號鼎誠國際大廈2013-2014

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品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-247-4L 類別：碳化硅場效應管(MOSFET) 最小包裝：30/管裝 參數1：ID:32A 參數2：VDSS:1200V 參數3：RDON:75mR 參數4：TYPE:N-ch 標價：歡迎咨詢

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品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-247-4L 類別：碳化硅場效應管(MOSFET) 最小包裝：30/管裝參數1：ID:32A 參數2：VDSS:1200V 參數3：RDON:75mR 參數4：TYPE:N-ch 標價：歡迎咨詢