C2M0025120D_TO-247_碳化硅場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)

品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-247 類別：碳化硅場效應管(MOSFET) 最小包裝：30/管裝參數1：ID:80A 參數2：VDSS:1200V 參數3：RDON:25mR 參數4：TYPE:N-ch 標價：歡迎咨詢

分享到

產品介紹

-------<點擊了解更多 + 購買>-------

本產品為1200V高壓碳化硅N溝道場效應晶體管（MOSFET），具備優異的導通與開關性能。其最大漏極電流ID可達80A，導通電阻RDON低至25mΩ，有助于降低導通損耗，提高系統效率。采用碳化硅材料，具備更高的熱穩定性和工作頻率，適用于高功率密度電源系統、高效能變換器、不間斷電源（UPS）、光伏逆變器以及其他需要高頻高效功率轉換的場景。器件結構設計優化，具備良好的短路耐受能力和可靠性，適合多種復雜工況下的穩定運行。

企業聯系方式

深圳市華軒陽電子有限公司

高新企業

聯系人：張婉儀
聯系電話：18929373249
聯系地址：深圳市福田區中航路7-1號鼎誠國際大廈2013-2014

<wbr id="neq8w"></wbr>

C2M0025120D_TO-247_碳化硅場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)

品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-247 類別：碳化硅場效應管(MOSFET) 最小包裝：30/管裝 參數1：ID:80A 參數2：VDSS:1200V 參數3：RDON:25mR 參數4：TYPE:N-ch 標價：歡迎咨詢

分享到

品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-247 類別：碳化硅場效應管(MOSFET) 最小包裝：30/管裝參數1：ID:80A 參數2：VDSS:1200V 參數3：RDON:25mR 參數4：TYPE:N-ch 標價：歡迎咨詢