GC210N80FE-HXY_TO-220F_碳化硅場效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)

品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-220F 類別：碳化硅場效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：50/管裝參數(shù)1：ID:13.3A 參數(shù)2：VDSS:800V 參數(shù)3：RDON:200mR 參數(shù)4：VGS:VGS:-4/+18VV 標(biāo)價(jià)：歡迎咨詢

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產(chǎn)品介紹

該N溝道碳化硅場效應(yīng)管具有800V的漏源耐壓（VDSS）和13.3A的連續(xù)漏極電流（ID），導(dǎo)通電阻為200mΩ，適用于高電壓與高效率的電力轉(zhuǎn)換場景。柵源電壓范圍為-4V至!8V，支持可靠的柵極驅(qū)動與器件保護(hù)。基于碳化硅半導(dǎo)體材料，具備優(yōu)異的開關(guān)特性、耐高溫性能及低損耗優(yōu)勢。可廣泛應(yīng)用于高壓電源模塊、可再生能源逆變裝置、儲能系統(tǒng)中的功率變換電路以及高密度開關(guān)電源設(shè)計(jì)，有助于提升系統(tǒng)整體能效與功率密度。

企業(yè)聯(lián)系方式

深圳市華軒陽電子有限公司

高新企業(yè)

聯(lián) 系人：張婉儀
聯(lián)系電話：18929373249
聯(lián)系地址：深圳市福田區(qū)中航路7-1號鼎誠國際大廈2013-2014

GC210N80FE-HXY_TO-220F_碳化硅場效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)

品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-220F 類別：碳化硅場效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：50/管裝 參數(shù)1：ID:13.3A 參數(shù)2：VDSS:800V 參數(shù)3：RDON:200mR 參數(shù)4：VGS:VGS:-4/+18VV 標(biāo)價(jià)：歡迎咨詢

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