YJD112010FQG2_TO-220F-2L_碳化硅二極管_HXY MOSFET(華軒陽電子)

品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-220F-2L 類別：碳化硅二極管最小包裝：50/管裝參數(shù)1：IF:10A 參數(shù)2：VR:1200V 參數(shù)3：VF:1.39V 參數(shù)4：二極管配置:獨立式標價：歡迎咨詢

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產(chǎn)品介紹

該碳化硅二極管為獨立式器件，具備10A的正向電流（IF）和1200V的反向重復峰值電壓（VR），正向壓降（VF）為1.39V。采用碳化硅材料，具備優(yōu)異的高頻開關特性與較低的反向恢復損耗，可有效提升系統(tǒng)效率。其高耐壓與較強熱穩(wěn)定性使其適用于高功率密度的電源轉換場景，如大功率開關電源、不間斷電源系統(tǒng)及可再生能源逆變裝置。器件在高溫環(huán)境下仍能保持可靠性能，適合對能效和空間布局有較高要求的電路設計。

企業(yè)聯(lián)系方式

深圳市華軒陽電子有限公司

高新企業(yè)

聯(lián) 系人：張婉儀
聯(lián)系電話：18929373249
聯(lián)系地址：深圳市福田區(qū)中航路7-1號鼎誠國際大廈2013-2014

YJD112010FQG2_TO-220F-2L_碳化硅二極管_HXY MOSFET(華軒陽電子)

品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-220F-2L 類別：碳化硅二極管 最小包裝：50/管裝 參數(shù)1：IF:10A 參數(shù)2：VR:1200V 參數(shù)3：VF:1.39V 參數(shù)4：二極管配置:獨立式 標價：歡迎咨詢

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品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-220F-2L 類別：碳化硅二極管最小包裝：50/管裝參數(shù)1：IF:10A 參數(shù)2：VR:1200V 參數(shù)3：VF:1.39V 參數(shù)4：二極管配置:獨立式標價：歡迎咨詢