CI10S120M3_TO-263_碳化硅二極管_HXY MOSFET(華軒陽電子)

品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-263 類別：碳化硅二極管最小包裝：800/圓盤參數1：IF:10A 參數2：VR:1200V 參數3：VF:1.39V 參數4：二極管配置:獨立式標價：歡迎咨詢

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產品介紹

該碳化硅二極管為獨立式器件，額定正向電流（IF）為10A，反向重復峰值電壓（VR）達1200V，適用于高電壓應用場景。其正向導通壓降（VF）為1.39V，具有較低的導通損耗，有助于提升系統能效。得益于碳化硅材料的優異特性，該器件具備快速開關速度和極短的反向恢復時間，可有效減少開關損耗，支持高頻工作模式。典型應用包括高壓電源轉換系統、大功率開關電源、儲能系統中的功率因數校正（PFC）電路以及直流變換模塊，適合對熱性能、轉換效率和空間利用率有較高要求的電力電子設計。

企業聯系方式

深圳市華軒陽電子有限公司

高新企業

聯系人：張婉儀
聯系電話：18929373249
聯系地址：深圳市福田區中航路7-1號鼎誠國際大廈2013-2014

CI10S120M3_TO-263_碳化硅二極管_HXY MOSFET(華軒陽電子)

品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-263 類別：碳化硅二極管 最小包裝：800/圓盤 參數1：IF:10A 參數2：VR:1200V 參數3：VF:1.39V 參數4：二極管配置:獨立式 標價：歡迎咨詢

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品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-263 類別：碳化硅二極管最小包裝：800/圓盤參數1：IF:10A 參數2：VR:1200V 參數3：VF:1.39V 參數4：二極管配置:獨立式標價：歡迎咨詢