STD16N65M5-HXY_TO-252-2L_碳化硅場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)

品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-252-2L 類別：碳化硅場效應管(MOSFET) 最小包裝：2500/圓盤參數1：ID:20A 參數2：VDSS:650V 參數3：RDON:160mR 參數4：VGS:-5~+16V 標價：歡迎咨詢

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產品介紹

該N溝道碳化硅MOSFET具有650V的漏源擊穿電壓（VDSS）和20A的連續漏極電流（ID），導通電阻（RDON）低至160mΩ，可有效降低導通損耗。柵源電壓范圍為-5V至!6V，支持穩定可靠的柵極驅動控制?；谔蓟璨牧系膬灝愄匦?，器件具備高耐溫能力、快速開關響應和高耐壓性能，適用于高頻率、高效率的電力轉換場景。典型應用包括高性能電源適配器、可再生能源發電系統中的逆變單元、儲能系統的功率調節模塊以及高密度開關電源設計，有助于提升轉換效率并減少系統熱耗。

企業聯系方式

深圳市華軒陽電子有限公司

高新企業

聯系人：張婉儀
聯系電話：18929373249
聯系地址：深圳市福田區中航路7-1號鼎誠國際大廈2013-2014

STD16N65M5-HXY_TO-252-2L_碳化硅場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)

品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-252-2L 類別：碳化硅場效應管(MOSFET) 最小包裝：2500/圓盤 參數1：ID:20A 參數2：VDSS:650V 參數3：RDON:160mR 參數4：VGS:-5~+16V 標價：歡迎咨詢

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品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-252-2L 類別：碳化硅場效應管(MOSFET) 最小包裝：2500/圓盤參數1：ID:20A 參數2：VDSS:650V 參數3：RDON:160mR 參數4：VGS:-5~+16V 標價：歡迎咨詢