IDM05G120C5XTMA1-HXY_TO-252N-2L_碳化硅二極管_HXY MOSFET(華軒陽電子)

品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-252N-2L 類別：碳化硅二極管最小包裝：2500/圓盤參數(shù)1：IF:5A 參數(shù)2：VR:1200V 參數(shù)3：VF:1.38V 參數(shù)4：二極管配置:獨(dú)立式標(biāo)價(jià)：歡迎咨詢

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產(chǎn)品介紹

該碳化硅二極管為獨(dú)立式器件，具備5A的正向電流（IF）和1200V的反向重復(fù)峰值電壓（VR），正向?qū)▔航担╒F）為1.38V。依托碳化硅材料優(yōu)勢(shì)，具備出色的耐高壓性能、高溫穩(wěn)定性和極快的開關(guān)速度，反向恢復(fù)電荷極低。適用于高電壓、高效率要求的電源系統(tǒng)，如大功率開關(guān)電源、不間斷電源、光伏逆變器以及高密度電源模塊等，可有效降低開關(guān)損耗，提升系統(tǒng)功率密度與整體能效水平。

企業(yè)聯(lián)系方式

深圳市華軒陽電子有限公司

高新企業(yè)

聯(lián) 系人：張婉儀
聯(lián)系電話：18929373249
聯(lián)系地址：深圳市福田區(qū)中航路7-1號(hào)鼎誠(chéng)國(guó)際大廈2013-2014

IDM05G120C5XTMA1-HXY_TO-252N-2L_碳化硅二極管_HXY MOSFET(華軒陽電子)

品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-252N-2L 類別：碳化硅二極管 最小包裝：2500/圓盤 參數(shù)1：IF:5A 參數(shù)2：VR:1200V 參數(shù)3：VF:1.38V 參數(shù)4：二極管配置:獨(dú)立式 標(biāo)價(jià)：歡迎咨詢

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品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-252N-2L 類別：碳化硅二極管最小包裝：2500/圓盤參數(shù)1：IF:5A 參數(shù)2：VR:1200V 參數(shù)3：VF:1.38V 參數(shù)4：二極管配置:獨(dú)立式標(biāo)價(jià)：歡迎咨詢