BCB120S10D2_TO-263_碳化硅二極管_HXY MOSFET(華軒陽電子)

品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-263 類別：碳化硅二極管最小包裝：800/圓盤參數1：IF:10A 參數2：VR:1200V 參數3：VF:1.39V 參數4：二極管配置:獨立式標價：歡迎咨詢

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產品介紹

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該碳化硅二極管為獨立式器件，額定正向電流（IF）為10A，反向重復峰值電壓（VR）達1200V，具備較高的電壓阻斷能力。其正向導通壓降（VF）典型值為1.39V，有效降低導通損耗，提升能效。基于碳化硅材料特性，該器件具有優異的高溫穩定性與快速恢復性能，適用于高頻率、高效率的電力轉換電路。可廣泛應用于大功率電源轉換系統、可再生能源發電設備及高密度開關電源模塊中，滿足對熱管理與電氣性能要求較高的使用環境。

企業聯系方式

深圳市華軒陽電子有限公司

高新企業

聯系人：張婉儀
聯系電話：18929373249
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BCB120S10D2_TO-263_碳化硅二極管_HXY MOSFET(華軒陽電子)

品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-263 類別：碳化硅二極管 最小包裝：800/圓盤 參數1：IF:10A 參數2：VR:1200V 參數3：VF:1.39V 參數4：二極管配置:獨立式 標價：歡迎咨詢

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品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-263 類別：碳化硅二極管最小包裝：800/圓盤參數1：IF:10A 參數2：VR:1200V 參數3：VF:1.39V 參數4：二極管配置:獨立式標價：歡迎咨詢