IV1D12010P2Z_TO-252N-2L_碳化硅二極管_HXY MOSFET(華軒陽電子)

品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-252N-2L 類別：碳化硅二極管最小包裝：2500/圓盤參數1：IF:10A 參數2：VR:1200V 參數3：VF:1.39V 參數4：二極管配置:獨立式標價：歡迎咨詢

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產品介紹

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該碳化硅二極管采用獨立式配置，具備10A的正向電流（IF）和1200V的反向耐壓（VR），在高負載條件下仍能保持穩定性能。其正向導通壓降（VF）低至1.39V，有助于減少導通損耗，提升系統整體能效。基于碳化硅材料的特性，該器件支持更高的工作溫度和更快的開關速度，適用于高頻開關電源、高效直流變換器及要求嚴苛的電力轉換場景，可有效降低散熱需求和系統體積，提升功率密度與運行可靠性。

企業聯系方式

深圳市華軒陽電子有限公司

高新企業

聯系人：張婉儀
聯系電話：18929373249
聯系地址：深圳市福田區中航路7-1號鼎誠國際大廈2013-2014

IV1D12010P2Z_TO-252N-2L_碳化硅二極管_HXY MOSFET(華軒陽電子)

品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-252N-2L 類別：碳化硅二極管 最小包裝：2500/圓盤 參數1：IF:10A 參數2：VR:1200V 參數3：VF:1.39V 參數4：二極管配置:獨立式 標價：歡迎咨詢

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品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-252N-2L 類別：碳化硅二極管最小包裝：2500/圓盤參數1：IF:10A 參數2：VR:1200V 參數3：VF:1.39V 參數4：二極管配置:獨立式標價：歡迎咨詢