BTA41-600BRG-HXY_TOP-3_晶閘管(可控硅)/模塊_HXY MOSFET(華軒陽電子)

品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TOP-3 類別：晶閘管(可控硅)/模塊最小包裝：30/管裝參數1：通態電流(It):41A 參數2：斷態峰值電壓(Vdrm):600V 參數3：可控硅類型:1個雙向可控硅參數4：門極觸發電流(Igt):50mA 標價：歡迎咨詢

分享到

產品介紹

-------<點擊了解更多 + 購買>-------

該雙向可控硅模塊具有41A的通態電流（It）和600V的斷態峰值電壓（Vdrm），適用于中高功率交流開關應用。其核心為單個雙向可控硅結構，支持雙向導通，配合50mA的門極觸發電流（Igt），可實現精確的觸發控制。器件具備良好的電壓阻斷能力和電流承載性能，常用于交流調壓、照明控制、電機速度調節及固態繼電器等電路中，適合對波形控制要求較高的場合，是可靠的交流功率控制解決方案。

企業聯系方式

深圳市華軒陽電子有限公司

高新企業

聯系人：張婉儀
聯系電話：18929373249
聯系地址：深圳市福田區中航路7-1號鼎誠國際大廈2013-2014

BTA41-600BRG-HXY_TOP-3_晶閘管(可控硅)/模塊_HXY MOSFET(華軒陽電子)

品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TOP-3 類別：晶閘管(可控硅)/模塊 最小包裝：30/管裝 參數1：通態電流(It):41A 參數2：斷態峰值電壓(Vdrm):600V 參數3：可控硅類型:1個雙向可控硅 參數4：門極觸發電流(Igt):50mA 標價：歡迎咨詢

分享到

品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TOP-3 類別：晶閘管(可控硅)/模塊最小包裝：30/管裝參數1：通態電流(It):41A 參數2：斷態峰值電壓(Vdrm):600V 參數3：可控硅類型:1個雙向可控硅參數4：門極觸發電流(Igt):50mA 標價：歡迎咨詢