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              S4D10120E_TO-252N-2L_碳化硅二極管_HXY MOSFET(華軒陽電子)

              品牌:HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝:TO-252N-2L 類別:碳化硅二極管 最小包裝:2500/圓盤 參數1:IF:10A 參數2:VR:1200V 參數3:VF:1.39V 參數4:二極管配置:獨立式 標價:歡迎咨詢

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              該碳化硅二極管為獨立式器件,額定正向電流(IF)為10A,反向重復峰值電壓(VR)達1200V,正向壓降(VF)為1.39V。基于碳化硅材料特性,具備優異的高溫工作能力與高熱導率,支持快速開關,反向恢復電荷極低,可有效減少開關損耗。其高耐壓與高電流承載能力適用于高功率密度電源系統,如大功率開關電源、高壓直流變換裝置、光伏逆變器及儲能系統中的整流與續流電路,能夠在高輸入電壓與高溫條件下維持系統效率與長期運行穩定性。

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