BCD120S10D2_TO-252N-2L_碳化硅二極管_HXY MOSFET(華軒陽電子)

品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-252N-2L 類別：碳化硅二極管最小包裝：2500/圓盤參數1：IF:10A 參數2：VR:1200V 參數3：VF:1.39V 參數4：二極管配置:獨立式標價：歡迎咨詢

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產品介紹

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該碳化硅二極管采用獨立式配置，具備10A的正向電流（IF）和1200V的反向重復峰值電壓（VR），在高電壓應用中表現出優異的耐壓能力。其正向壓降（VF）低至1.39V，有助于降低導通損耗，提升系統整體能效。基于碳化硅材料的特性，該器件支持高頻開關操作，同時具備出色的熱穩定性，適用于對功率密度和轉換效率有較高要求的電力轉換場景，如高效電源模塊、可再生能源逆變系統及高可靠性儲能裝置等。

企業聯系方式

深圳市華軒陽電子有限公司

高新企業

聯系人：張婉儀
聯系電話：18929373249
聯系地址：深圳市福田區中航路7-1號鼎誠國際大廈2013-2014

BCD120S10D2_TO-252N-2L_碳化硅二極管_HXY MOSFET(華軒陽電子)

品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-252N-2L 類別：碳化硅二極管 最小包裝：2500/圓盤 參數1：IF:10A 參數2：VR:1200V 參數3：VF:1.39V 參數4：二極管配置:獨立式 標價：歡迎咨詢

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品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-252N-2L 類別：碳化硅二極管最小包裝：2500/圓盤參數1：IF:10A 參數2：VR:1200V 參數3：VF:1.39V 參數4：二極管配置:獨立式標價：歡迎咨詢