SIC0860PL8_DFN8X8B_碳化硅二極管_HXY MOSFET(華軒陽電子)

品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：DFN8X8B 類別：碳化硅二極管最小包裝：3000/圓盤參數1：IF:8A 參數2：VR:650V 參數3：VF:1.42V 參數4：二極管配置:獨立式標價：歡迎咨詢

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產品介紹

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該碳化硅二極管采用獨立式配置，具備8A的正向電流（IF）和650V的反向重復峰值電壓（VR），在高頻開關條件下表現出優異的導通能力與耐壓性能。其正向壓降（VF）低至1.42V，有助于降低導通損耗，提升系統整體能效。器件利用碳化硅材料的特性，具備快速恢復速度和良好的熱穩定性，適用于高頻率、高效率的電源轉換設計。典型應用場景包括開關模式電源、DC-DC轉換器及功率因數校正電路，適合對功率密度和轉換效率有較高要求的電子設備。

企業聯系方式

深圳市華軒陽電子有限公司

高新企業

聯系人：張婉儀
聯系電話：18929373249
聯系地址：深圳市福田區中航路7-1號鼎誠國際大廈2013-2014

SIC0860PL8_DFN8X8B_碳化硅二極管_HXY MOSFET(華軒陽電子)

品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：DFN8X8B 類別：碳化硅二極管 最小包裝：3000/圓盤 參數1：IF:8A 參數2：VR:650V 參數3：VF:1.42V 參數4：二極管配置:獨立式 標價：歡迎咨詢

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品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：DFN8X8B 類別：碳化硅二極管最小包裝：3000/圓盤參數1：IF:8A 參數2：VR:650V 參數3：VF:1.42V 參數4：二極管配置:獨立式標價：歡迎咨詢