YJD112010DQG2_TO-252N-2L_碳化硅二極管_HXY MOSFET(華軒陽(yáng)電子)

品牌：HXY MOSFET(華軒陽(yáng)電子) 封裝：TO-252N-2L 類別：碳化硅二極管最小包裝：2500/圓盤(pán) 參數(shù)1：IF:10A 參數(shù)2：VR:1200V 參數(shù)3：VF:1.39V 參數(shù)4：二極管配置:獨(dú)立式標(biāo)價(jià)：歡迎咨詢

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產(chǎn)品介紹

該碳化硅二極管為獨(dú)立式器件，具備10A的正向電流（IF）和1200V的反向重復(fù)峰值電壓（VR），正向壓降（VF）為1.39V。基于碳化硅材料，具備優(yōu)異的高溫穩(wěn)定性與快速開(kāi)關(guān)特性，反向恢復(fù)電荷極低，可顯著減少高頻工作下的開(kāi)關(guān)損耗。適用于高電壓、高效率的電力轉(zhuǎn)換系統(tǒng)，如大功率開(kāi)關(guān)電源、儲(chǔ)能系統(tǒng)中的逆變單元、高密度電源適配器及可再生能源發(fā)電設(shè)備中的整流與續(xù)流環(huán)節(jié)，有助于提升系統(tǒng)能效與可靠性。

企業(yè)聯(lián)系方式

深圳市華軒陽(yáng)電子有限公司

高新企業(yè)

聯(lián) 系人：張婉儀
聯(lián)系電話：18929373249
聯(lián)系地址：深圳市福田區(qū)中航路7-1號(hào)鼎誠(chéng)國(guó)際大廈2013-2014

YJD112010DQG2_TO-252N-2L_碳化硅二極管_HXY MOSFET(華軒陽(yáng)電子)

品牌：HXY MOSFET(華軒陽(yáng)電子) 封裝：TO-252N-2L 類別：碳化硅二極管 最小包裝：2500/圓盤(pán) 參數(shù)1：IF:10A 參數(shù)2：VR:1200V 參數(shù)3：VF:1.39V 參數(shù)4：二極管配置:獨(dú)立式 標(biāo)價(jià)：歡迎咨詢

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品牌：HXY MOSFET(華軒陽(yáng)電子) 封裝：TO-252N-2L 類別：碳化硅二極管最小包裝：2500/圓盤(pán) 參數(shù)1：IF:10A 參數(shù)2：VR:1200V 參數(shù)3：VF:1.39V 參數(shù)4：二極管配置:獨(dú)立式標(biāo)價(jià)：歡迎咨詢