YJD212025NCTGH_TO-247_碳化硅場效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)

品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-247 類別：碳化硅場效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：30/管裝參數(shù)1：ID:80A 參數(shù)2：VDSS:1200V 參數(shù)3：RDON:25mR 參數(shù)4：TYPE:N-ch 標價：歡迎咨詢

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產(chǎn)品介紹

本產(chǎn)品為1200V碳化硅N溝道場效應(yīng)晶體管（MOSFET），具備高耐壓與低導(dǎo)通電阻特性。最大漏極電流ID可達80A，導(dǎo)通電阻RD(ON)低至25mΩ，顯著降低導(dǎo)通損耗，提升系統(tǒng)能效。采用碳化硅材料，具備優(yōu)異的高溫穩(wěn)定性與開關(guān)性能，適用于高頻率電源變換、綠色能源系統(tǒng)、智能電力調(diào)控及高效電機控制等應(yīng)用。器件設(shè)計優(yōu)化，具備良好的熱穩(wěn)定性和可靠性，滿足高性能電力電子系統(tǒng)對效率與緊湊設(shè)計的需求。

企業(yè)聯(lián)系方式

深圳市華軒陽電子有限公司

高新企業(yè)

聯(lián) 系人：張婉儀
聯(lián)系電話：18929373249
聯(lián)系地址：深圳市福田區(qū)中航路7-1號鼎誠國際大廈2013-2014

YJD212025NCTGH_TO-247_碳化硅場效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)

品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-247 類別：碳化硅場效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：30/管裝 參數(shù)1：ID:80A 參數(shù)2：VDSS:1200V 參數(shù)3：RDON:25mR 參數(shù)4：TYPE:N-ch 標價：歡迎咨詢

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