YJD212025NCFGH_TO-247-4L_碳化硅場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)

品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-247-4L 類別：碳化硅場效應管(MOSFET) 最小包裝：30/管裝參數1：ID:80A 參數2：VDSS:1200V 參數3：RDON:25mR 參數4：TYPE:N-ch 標價：歡迎咨詢

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產品介紹

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本產品是一款1200V碳化硅N溝道場效應晶體管（MOSFET），具有高電流承載能力和優異的導通性能。其最大漏極電流ID為80A，導通電阻RD(ON)低至25mΩ，有助于減少導通損耗并提升整體系統效率。碳化硅材料賦予器件出色的高溫穩定性和耐壓能力，適用于高頻電源轉換、新能源發電、智能電網及高效能電機驅動等場景。器件結構設計優化，具備良好的熱管理特性與長期可靠性，適用于對性能與效率有嚴苛要求的電力電子系統。

企業聯系方式

深圳市華軒陽電子有限公司

高新企業

聯系人：張婉儀
聯系電話：18929373249
聯系地址：深圳市福田區中航路7-1號鼎誠國際大廈2013-2014

YJD212025NCFGH_TO-247-4L_碳化硅場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)

品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-247-4L 類別：碳化硅場效應管(MOSFET) 最小包裝：30/管裝 參數1：ID:80A 參數2：VDSS:1200V 參數3：RDON:25mR 參數4：TYPE:N-ch 標價：歡迎咨詢

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品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-247-4L 類別：碳化硅場效應管(MOSFET) 最小包裝：30/管裝參數1：ID:80A 參數2：VDSS:1200V 參數3：RDON:25mR 參數4：TYPE:N-ch 標價：歡迎咨詢