UF3C065040K3S-HXY_TO-247_碳化硅場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)

品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-247 類別：碳化硅場效應管(MOSFET) 最小包裝：30/管裝參數1：ID:52A 參數2：VDSS:650V 參數3：RDON:40mR 參數4：TYPE:N-ch 標價：歡迎咨詢

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產品介紹

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本產品為650V N溝道碳化硅場效應管（MOSFET），采用先進碳化硅材料，具備優異的導熱性與耐高溫性能。在導通狀態下，其漏源電阻（RDON）低至40毫歐，可有效降低導通損耗，提升系統效率。額定漏極電流（ID）為52A，適合高功率密度應用場景。器件結構設計優化，具備快速開關特性，適用于高效電源轉換系統，如光伏逆變器、儲能系統及高頻電源設備，為復雜工況下的電力電子系統提供穩定可靠的核心支持。

企業聯系方式

深圳市華軒陽電子有限公司

高新企業

聯系人：張婉儀
聯系電話：18929373249
聯系地址：深圳市福田區中航路7-1號鼎誠國際大廈2013-2014

UF3C065040K3S-HXY_TO-247_碳化硅場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)

品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-247 類別：碳化硅場效應管(MOSFET) 最小包裝：30/管裝 參數1：ID:52A 參數2：VDSS:650V 參數3：RDON:40mR 參數4：TYPE:N-ch 標價：歡迎咨詢

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品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-247 類別：碳化硅場效應管(MOSFET) 最小包裝：30/管裝參數1：ID:52A 參數2：VDSS:650V 參數3：RDON:40mR 參數4：TYPE:N-ch 標價：歡迎咨詢