G3R30MT12K_TO-247-4L_碳化硅場效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)

品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-247-4L 類別：碳化硅場效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：30/管裝參數(shù)1：ID:80A 參數(shù)2：VDSS:1200V 參數(shù)3：RDON:25mR 參數(shù)4：TYPE:N-ch 標(biāo)價(jià)：歡迎咨詢

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產(chǎn)品介紹

本產(chǎn)品為1200V N溝道碳化硅場效應(yīng)管（MOSFET），基于碳化硅半導(dǎo)體技術(shù)，具備優(yōu)異的高頻開關(guān)性能和低導(dǎo)通損耗特性。其最大連續(xù)漏極電流（ID）為80A，導(dǎo)通電阻（RDON）為25mΩ，有助于提升系統(tǒng)整體能效并減少發(fā)熱。適用于各類高效能電源轉(zhuǎn)換設(shè)備，如高密度電源模塊、可再生能源接入裝置及智能電力管理系統(tǒng)。器件具備良好的熱穩(wěn)定性和耐高壓能力，能夠在復(fù)雜電磁環(huán)境中提供可靠、穩(wěn)定的電力控制表現(xiàn)。

企業(yè)聯(lián)系方式

深圳市華軒陽電子有限公司

高新企業(yè)

聯(lián) 系人：張婉儀
聯(lián)系電話：18929373249
聯(lián)系地址：深圳市福田區(qū)中航路7-1號鼎誠國際大廈2013-2014

G3R30MT12K_TO-247-4L_碳化硅場效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)

品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-247-4L 類別：碳化硅場效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：30/管裝 參數(shù)1：ID:80A 參數(shù)2：VDSS:1200V 參數(shù)3：RDON:25mR 參數(shù)4：TYPE:N-ch 標(biāo)價(jià)：歡迎咨詢

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品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-247-4L 類別：碳化硅場效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：30/管裝參數(shù)1：ID:80A 參數(shù)2：VDSS:1200V 參數(shù)3：RDON:25mR 參數(shù)4：TYPE:N-ch 標(biāo)價(jià)：歡迎咨詢