GC2M0025120D_TO-247_碳化硅場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽(yáng)電子)

品牌：HXY MOSFET(華軒陽(yáng)電子) 封裝：TO-247 類(lèi)別：碳化硅場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：30/管裝參數(shù)1：ID:80A 參數(shù)2：VDSS:1200V 參數(shù)3：RDON:25mR 參數(shù)4：TYPE:N-ch 標(biāo)價(jià)：歡迎咨詢

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產(chǎn)品介紹

本產(chǎn)品為1200V高壓碳化硅N溝道場(chǎng)效應(yīng)晶體管（MOSFET），具備優(yōu)異的導(dǎo)通與開(kāi)關(guān)性能。其最大漏極電流ID為80A，導(dǎo)通電阻RDON低至25毫歐，可實(shí)現(xiàn)高效、低損耗的功率轉(zhuǎn)換。采用碳化硅材料，器件具有更高的熱穩(wěn)定性和耐高壓能力，適用于高頻率、高效率的電源變換系統(tǒng)。該MOSFET適合應(yīng)用于能源、交通、智能電網(wǎng)、高性能計(jì)算設(shè)備等領(lǐng)域的功率因數(shù)校正（PFC）、DC-DC轉(zhuǎn)換器及逆變器電路中，為復(fù)雜工況下的電力電子系統(tǒng)提供可靠支持。

企業(yè)聯(lián)系方式

深圳市華軒陽(yáng)電子有限公司

高新企業(yè)

聯(lián) 系人：張婉儀
聯(lián)系電話：18929373249
聯(lián)系地址：深圳市福田區(qū)中航路7-1號(hào)鼎誠(chéng)國(guó)際大廈2013-2014

GC2M0025120D_TO-247_碳化硅場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽(yáng)電子)

品牌：HXY MOSFET(華軒陽(yáng)電子) 封裝：TO-247 類(lèi)別：碳化硅場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：30/管裝 參數(shù)1：ID:80A 參數(shù)2：VDSS:1200V 參數(shù)3：RDON:25mR 參數(shù)4：TYPE:N-ch 標(biāo)價(jià)：歡迎咨詢

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品牌：HXY MOSFET(華軒陽(yáng)電子) 封裝：TO-247 類(lèi)別：碳化硅場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：30/管裝參數(shù)1：ID:80A 參數(shù)2：VDSS:1200V 參數(shù)3：RDON:25mR 參數(shù)4：TYPE:N-ch 標(biāo)價(jià)：歡迎咨詢