C3M0065100K_TO-247-4L_碳化硅場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)

品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-247-4L 類別：碳化硅場效應管(MOSFET) 最小包裝：30/管裝參數1：ID:36A 參數2：VDSS:1000V 參數3：RDON:65mR 參數4：TYPE:N-ch 標價：歡迎咨詢

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產品介紹

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本產品為N溝道碳化硅場效應管（MOSFET），具有1000V的漏源耐壓（VDSS）和36A的額定漏極電流（ID），導通電阻（RDON）僅為65mΩ，表現出優異的導電性能和較低的開關損耗。基于碳化硅材料的特性，該器件具備良好的熱穩定性和高頻工作能力，適用于高效率電源轉換、智能電網設備、可再生能源系統及高端家電等應用場景，為系統提升能效和可靠性提供有力支持。

企業聯系方式

深圳市華軒陽電子有限公司

高新企業

聯系人：張婉儀
聯系電話：18929373249
聯系地址：深圳市福田區中航路7-1號鼎誠國際大廈2013-2014

C3M0065100K_TO-247-4L_碳化硅場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)

品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-247-4L 類別：碳化硅場效應管(MOSFET) 最小包裝：30/管裝 參數1：ID:36A 參數2：VDSS:1000V 參數3：RDON:65mR 參數4：TYPE:N-ch 標價：歡迎咨詢

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品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-247-4L 類別：碳化硅場效應管(MOSFET) 最小包裝：30/管裝參數1：ID:36A 參數2：VDSS:1000V 參數3：RDON:65mR 參數4：TYPE:N-ch 標價：歡迎咨詢