R6511KNXC7G-HXY_TO-220F_碳化硅場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)

品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-220F 類別：碳化硅場效應管(MOSFET) 最小包裝：50/管裝參數1：ID:15A 參數2：VDSS:650V 參數3：RDON:260mR 參數4：VGS:-5~+16V 標價：歡迎咨詢

分享到

產品介紹

-------<點擊了解更多 + 購買>-------

本款N溝道碳化硅場效應管具有650V漏源電壓（VDSS）和15A連續漏極電流（ID），導通電阻低至260mΩ，有助于減少導通損耗并提升系統效率。柵源電壓范圍為-5V至!6V，支持穩定的柵極驅動控制，增強開關可靠性。基于碳化硅半導體材料，具備優異的高溫工作能力、高開關頻率特性和低開關損耗。適用于高功率密度電源轉換系統，如高效開關電源、直流-直流變換器、不間斷電源模塊及可再生能源發電中的逆變裝置，適合在高熱應力與高頻運行條件下穩定工作的應用場景。

企業聯系方式

深圳市華軒陽電子有限公司

高新企業

聯系人：張婉儀
聯系電話：18929373249
聯系地址：深圳市福田區中航路7-1號鼎誠國際大廈2013-2014

R6511KNXC7G-HXY_TO-220F_碳化硅場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)

品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-220F 類別：碳化硅場效應管(MOSFET) 最小包裝：50/管裝 參數1：ID:15A 參數2：VDSS:650V 參數3：RDON:260mR 參數4：VGS:-5~+16V 標價：歡迎咨詢

分享到

品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-220F 類別：碳化硅場效應管(MOSFET) 最小包裝：50/管裝參數1：ID:15A 參數2：VDSS:650V 參數3：RDON:260mR 參數4：VGS:-5~+16V 標價：歡迎咨詢