FCPF260N60E-HXY_TO-220F_碳化硅場效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)

品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-220F 類別：碳化硅場效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：50/管裝參數(shù)1：ID:20A 參數(shù)2：VDSS:650V 參數(shù)3：RDON:160mR 參數(shù)4：VGS:-5~+16V 標(biāo)價：歡迎咨詢

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產(chǎn)品介紹

該N溝道碳化硅場效應(yīng)管具備650V的漏源電壓（VDSS）和20A的連續(xù)漏極電流（ID），導(dǎo)通電阻低至160mΩ，適用于高效率功率轉(zhuǎn)換場景。其柵源電壓范圍為-5V至!6V，確保了穩(wěn)定可靠的開關(guān)控制。得益于碳化硅材料特性，器件具有優(yōu)異的高溫工作能力與開關(guān)速度，可顯著降低系統(tǒng)能耗并提升功率密度。典型應(yīng)用包括高頻直流變換器、電源模塊及高效能適配器等對熱性能和電氣性能要求較高的場合。

企業(yè)聯(lián)系方式

深圳市華軒陽電子有限公司

高新企業(yè)

聯(lián) 系人：張婉儀
聯(lián)系電話：18929373249
聯(lián)系地址：深圳市福田區(qū)中航路7-1號鼎誠國際大廈2013-2014

FCPF260N60E-HXY_TO-220F_碳化硅場效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)

品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-220F 類別：碳化硅場效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：50/管裝 參數(shù)1：ID:20A 參數(shù)2：VDSS:650V 參數(shù)3：RDON:160mR 參數(shù)4：VGS:-5~+16V 標(biāo)價：歡迎咨詢

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品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-220F 類別：碳化硅場效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：50/管裝參數(shù)1：ID:20A 參數(shù)2：VDSS:650V 參數(shù)3：RDON:160mR 參數(shù)4：VGS:-5~+16V 標(biāo)價：歡迎咨詢