IPA60R280CFD7XKSA1-HXY_TO-220F_碳化硅場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)

品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-220F 類別：碳化硅場效應管(MOSFET) 最小包裝：50/管裝參數1：ID:20A 參數2：VDSS:650V 參數3：RDON:160mR 參數4：VGS:-5~+16V 標價：歡迎咨詢

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產品介紹

本款N溝道碳化硅MOSFET具備650V漏源電壓額定值（VDSS）和20A連續漏極電流（ID）能力，導通電阻（RDS(on)）低至160mΩ，可有效減少導通損耗，提升系統熱性能。柵源電壓范圍為-5V至!6V，確保驅動穩定性與器件可靠性。依托碳化硅材料的高臨界電場與高熱導率特性，該器件支持高頻開關操作，具有較低的開關損耗和優異的高溫工作表現，適用于高效率、高功率密度的電力電子系統，如大功率開關電源、可再生能源發電逆變裝置、儲能系統功率轉換級及高頻率DC-DC變換電路。

企業聯系方式

深圳市華軒陽電子有限公司

高新企業

聯系人：張婉儀
聯系電話：18929373249
聯系地址：深圳市福田區中航路7-1號鼎誠國際大廈2013-2014

IPA60R280CFD7XKSA1-HXY_TO-220F_碳化硅場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)

品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-220F 類別：碳化硅場效應管(MOSFET) 最小包裝：50/管裝 參數1：ID:20A 參數2：VDSS:650V 參數3：RDON:160mR 參數4：VGS:-5~+16V 標價：歡迎咨詢

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品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-220F 類別：碳化硅場效應管(MOSFET) 最小包裝：50/管裝參數1：ID:20A 參數2：VDSS:650V 參數3：RDON:160mR 參數4：VGS:-5~+16V 標價：歡迎咨詢