ADW120N040BH_TO-247_碳化硅場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)

品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-247 類別：碳化硅場效應管(MOSFET) 最小包裝：30/管裝參數1：ID:60A 參數2：VDSS:1200V 參數3：RDON:40mR 參數4：TYPE:N-ch 標價：歡迎咨詢

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產品介紹

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本產品是一款1200V碳化硅N溝道場效應晶體管（MOSFET），具有良好的高頻開關特性和導通性能。其額定漏極電流ID為60A，導通電阻RDON為40mΩ，有助于提升系統能效并降低功率損耗。碳化硅材料的使用提升了器件的熱穩定性和耐高壓能力，適用于高效率電源轉換設備、不間斷電源、可再生能源系統中的逆變裝置、高頻功率變換器等多種高要求應用場景。器件設計優化，具備較強的可靠性和適應復雜工況的能力。

企業聯系方式

深圳市華軒陽電子有限公司

高新企業

聯系人：張婉儀
聯系電話：18929373249
聯系地址：深圳市福田區中航路7-1號鼎誠國際大廈2013-2014

ADW120N040BH_TO-247_碳化硅場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)

品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-247 類別：碳化硅場效應管(MOSFET) 最小包裝：30/管裝 參數1：ID:60A 參數2：VDSS:1200V 參數3：RDON:40mR 參數4：TYPE:N-ch 標價：歡迎咨詢

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品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-247 類別：碳化硅場效應管(MOSFET) 最小包裝：30/管裝參數1：ID:60A 參數2：VDSS:1200V 參數3：RDON:40mR 參數4：TYPE:N-ch 標價：歡迎咨詢