GC3M0015065K_TO-247-4L_碳化硅場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)

品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-247-4L 類別：碳化硅場效應管(MOSFET) 最小包裝：30/管裝參數1：ID:120A 參數2：VDSS:650V 參數3：RDON:15mR 參數4：TYPE:N-ch 標價：歡迎咨詢

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產品介紹

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本產品為650V碳化硅N溝道場效應晶體管（MOSFET），具備出色的導通性能與耐高壓特性。其最大漏極電流可達120A，導通電阻低至15mΩ，有效降低導通損耗，提升系統能效。碳化硅材料賦予器件優異的熱穩定性與快速開關能力，適合高功率與高頻應用場景。該MOSFET可廣泛用于高效電源、儲能系統及精密電力電子設備中，滿足對性能與穩定性的多樣化需求。

企業聯系方式

深圳市華軒陽電子有限公司

高新企業

聯系人：張婉儀
聯系電話：18929373249
聯系地址：深圳市福田區中航路7-1號鼎誠國際大廈2013-2014

GC3M0015065K_TO-247-4L_碳化硅場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)

品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-247-4L 類別：碳化硅場效應管(MOSFET) 最小包裝：30/管裝 參數1：ID:120A 參數2：VDSS:650V 參數3：RDON:15mR 參數4：TYPE:N-ch 標價：歡迎咨詢

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品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-247-4L 類別：碳化硅場效應管(MOSFET) 最小包裝：30/管裝參數1：ID:120A 參數2：VDSS:650V 參數3：RDON:15mR 參數4：TYPE:N-ch 標價：歡迎咨詢