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              HT120N650ADZ_TO-247_碳化硅場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)

              品牌:HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝:TO-247 類別:碳化硅場效應管(MOSFET) 最小包裝:30/管裝 參數1:ID:120A 參數2:VDSS:650V 參數3:RDON:15mR 參數4:TYPE:N-ch 標價:歡迎咨詢

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              產品介紹

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              本產品為N溝道碳化硅場效應管(MOSFET),具備高電流、低導通電阻和良好熱穩定性的特點。其額定漏極電流ID為120A,漏源電壓VDSS為650V,導通電阻RDON低至15mΩ,可顯著降低導通損耗,提高能量轉換效率。碳化硅材料的應用提升了器件的高頻響應能力和耐溫性能,適用于高功率密度電源系統、高效能逆變器及各類對效率與可靠性有較高要求的電子設備中。

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