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              IMW120R040M1HXKSA1-HXY_TO-247_碳化硅場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
              
                       
                        
              
                            品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子)
                                                        封裝：TO-247
                                                        類別：碳化硅場效應管(MOSFET)
                                                        最小包裝：30/管裝
                                                        參數1：ID:87.5A
                                                        參數2：VDSS:1200V
                                                        參數3：RDON:39mR
                                                        參數4：TYPE:N-ch
                                                        標價：歡迎咨詢
                        
              
                        
              
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              產品介紹
              
                
              
                    
              -------<點擊了解更多 + 購買>-------
              本款碳化硅場效應管（MOSFET）為N溝道增強型器件，連續漏極電流可達87.5A，漏源擊穿電壓為1200V，具備高電壓和大電流承載能力，適用于高性能功率轉換場景。導通電阻為39mΩ，有助于降低導通損耗并提升系統效率。碳化硅材料賦予其優異的高溫穩定性、高頻特性和抗輻射能力，適合復雜電磁環境中的穩定運行。該器件可廣泛應用于高效電源、可再生能源系統、精密控制電路以及高可靠性電子設備中，滿足對性能與穩定性要求較高的設計需求。
                              
              
            
              
            
              
                
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