FCPF190N65S3R0L-HXY_TO-220F_碳化硅場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)

品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-220F 類別：碳化硅場效應管(MOSFET) 最小包裝：50/管裝參數1：ID:20A 參數2：VDSS:650V 參數3：RDON:160mR 參數4：VGS:-5~+16V 標價：歡迎咨詢

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產品介紹

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該N溝道碳化硅MOSFET具備650V的漏源擊穿電壓（VDSS）和20A的連續漏極電流（ID），導通電阻（RDON）低至160mΩ，可有效降低導通損耗。柵源電壓范圍為-5V至!6V，支持穩定可靠的柵極控制。基于碳化硅材料的特性，該器件具有優異的耐高溫性能和快速開關能力，適用于高頻率、高效率的電力轉換場景。典型應用包括高效電源模塊、可再生能源發電單元、儲能系統的能量變換裝置以及高密度DC-DC和DC-AC轉換電路，有助于提升系統整體能效和功率密度。

企業聯系方式

深圳市華軒陽電子有限公司

高新企業

聯系人：張婉儀
聯系電話：18929373249
聯系地址：深圳市福田區中航路7-1號鼎誠國際大廈2013-2014

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品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-220F 類別：碳化硅場效應管(MOSFET) 最小包裝：50/管裝 參數1：ID:20A 參數2：VDSS:650V 參數3：RDON:160mR 參數4：VGS:-5~+16V 標價：歡迎咨詢

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品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-220F 類別：碳化硅場效應管(MOSFET) 最小包裝：50/管裝參數1：ID:20A 參數2：VDSS:650V 參數3：RDON:160mR 參數4：VGS:-5~+16V 標價：歡迎咨詢