B2D06065E_TO-252N-2L_碳化硅二極管_HXY MOSFET(華軒陽電子)

品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-252N-2L 類別：碳化硅二極管最小包裝：2500/圓盤參數1：IF:6A 參數2：VR:650V 參數3：VF:1.36V 參數4：二極管配置:獨立式標價：歡迎咨詢

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產品介紹

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該碳化硅二極管為單體結構，額定正向電流（IF）為6A，反向耐壓（VR）為650V，正向導通壓降（VF）典型值為1.36V。采用碳化硅材料，具備優異的高頻開關能力與熱導性能，可承受較高的結溫運行。其低反向漏電流與快速恢復特性，有助于減少開關過程中的能量損耗。適用于高效率直流-交流轉換設備、高性能電源模塊、儲能系統中的整流與續流電路，以及對能效和空間利用率有較高要求的電力變換裝置。

企業聯系方式

深圳市華軒陽電子有限公司

高新企業

聯系人：張婉儀
聯系電話：18929373249
聯系地址：深圳市福田區中航路7-1號鼎誠國際大廈2013-2014

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品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-252N-2L 類別：碳化硅二極管 最小包裝：2500/圓盤 參數1：IF:6A 參數2：VR:650V 參數3：VF:1.36V 參數4：二極管配置:獨立式 標價：歡迎咨詢

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品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-252N-2L 類別：碳化硅二極管最小包裝：2500/圓盤參數1：IF:6A 參數2：VR:650V 參數3：VF:1.36V 參數4：二極管配置:獨立式標價：歡迎咨詢