STD18N65M2-EP-HXY_TO-252-2L_碳化硅場效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)

品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-252-2L 類別：碳化硅場效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：2500/圓盤參數(shù)1：ID:15A 參數(shù)2：VDSS:650V 參數(shù)3：RDON:260mR 參數(shù)4：VGS:-5~+16V 標(biāo)價：歡迎咨詢

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產(chǎn)品介紹

該N溝道碳化硅MOSFET具有650V的漏源擊穿電壓（VDSS）和15A的額定漏極電流（ID），導(dǎo)通電阻（RDS(on)）典型值為260mΩ，有助于降低導(dǎo)通損耗。柵源電壓范圍為-5V至!6V，支持可靠驅(qū)動與負壓關(guān)斷，提升系統(tǒng)穩(wěn)定性。基于碳化硅材料的特性，該器件具備優(yōu)異的高頻開關(guān)性能、耐高溫能力和低開關(guān)損耗，適用于高效率電源轉(zhuǎn)換拓撲，如PFC電路、開關(guān)電源模塊、光伏逆變單元及高功率密度DC-AC變換裝置，適合對能效和熱管理有嚴(yán)苛要求的應(yīng)用場景。

企業(yè)聯(lián)系方式

深圳市華軒陽電子有限公司

高新企業(yè)

聯(lián) 系人：張婉儀
聯(lián)系電話：18929373249
聯(lián)系地址：深圳市福田區(qū)中航路7-1號鼎誠國際大廈2013-2014

STD18N65M2-EP-HXY_TO-252-2L_碳化硅場效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)

品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-252-2L 類別：碳化硅場效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：2500/圓盤 參數(shù)1：ID:15A 參數(shù)2：VDSS:650V 參數(shù)3：RDON:260mR 參數(shù)4：VGS:-5~+16V 標(biāo)價：歡迎咨詢

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