BTA26-600BRG_TOP-3_晶閘管(可控硅)/模塊_HXY MOSFET(華軒陽電子)

品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TOP-3 類別：晶閘管(可控硅)/模塊最小包裝：30/管裝參數1：通態電流(It):26A 參數2：斷態峰值電壓(Vdrm):600V 參數3：可控硅類型:1個雙向可控硅參數4：門極觸發電流(Igt):50mA 標價：歡迎咨詢

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產品介紹

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該雙向可控硅模塊具有26A的通態電流（It）和600V的斷態峰值電壓（Vdrm），適用于需要中等功率控制的交流電路。其內部集成單個雙向可控硅，可實現對交流電的全波控制。50mA的門極觸發電流（Igt）確保了器件在配合常用控制信號時的可靠觸發。該器件常用于各類交流調壓、調光、電機速度調節及固態開關等應用，適用于對體積和可靠性有要求的電力控制場合。

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深圳市華軒陽電子有限公司

高新企業

聯系人：張婉儀
聯系電話：18929373249
聯系地址：深圳市福田區中航路7-1號鼎誠國際大廈2013-2014

BTA26-600BRG_TOP-3_晶閘管(可控硅)/模塊_HXY MOSFET(華軒陽電子)

品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TOP-3 類別：晶閘管(可控硅)/模塊 最小包裝：30/管裝 參數1：通態電流(It):26A 參數2：斷態峰值電壓(Vdrm):600V 參數3：可控硅類型:1個雙向可控硅 參數4：門極觸發電流(Igt):50mA 標價：歡迎咨詢

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品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TOP-3 類別：晶閘管(可控硅)/模塊最小包裝：30/管裝參數1：通態電流(It):26A 參數2：斷態峰值電壓(Vdrm):600V 參數3：可控硅類型:1個雙向可控硅參數4：門極觸發電流(Igt):50mA 標價：歡迎咨詢