R6511KND3TL1-HXY_TO-252-2L_碳化硅場效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)

品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-252-2L 類別：碳化硅場效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：2500/圓盤參數(shù)1：ID:15A 參數(shù)2：VDSS:650V 參數(shù)3：RDON:260mR 參數(shù)4：VGS:-5~+16V 標價：歡迎咨詢

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產(chǎn)品介紹

本款N溝道碳化硅場效應(yīng)管具有650V漏源電壓（VDSS）和15A連續(xù)漏極電流（ID），導(dǎo)通電阻為260mΩ，有助于降低導(dǎo)通損耗，提升系統(tǒng)能效。柵源電壓范圍為-5V至!6V，確保器件在驅(qū)動信號下的穩(wěn)定關(guān)斷與導(dǎo)通。依托碳化硅材料的高耐壓與高熱導(dǎo)率特性，該器件支持高頻開關(guān)操作，具備優(yōu)異的熱穩(wěn)定性和耐久性。典型應(yīng)用包括高效開關(guān)電源、不間斷電源系統(tǒng)、光伏逆變單元、高密度電源模塊及高壓直流變換裝置，適用于對轉(zhuǎn)換效率和功率密度有較高需求的電力電子設(shè)計場景。

企業(yè)聯(lián)系方式

深圳市華軒陽電子有限公司

高新企業(yè)

聯(lián) 系人：張婉儀
聯(lián)系電話：18929373249
聯(lián)系地址：深圳市福田區(qū)中航路7-1號鼎誠國際大廈2013-2014

R6511KND3TL1-HXY_TO-252-2L_碳化硅場效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)

品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-252-2L 類別：碳化硅場效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：2500/圓盤 參數(shù)1：ID:15A 參數(shù)2：VDSS:650V 參數(shù)3：RDON:260mR 參數(shù)4：VGS:-5~+16V 標價：歡迎咨詢

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