S3D10065G-HXY_TO-263N_碳化硅二極管_HXY MOSFET(華軒陽電子)

品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-263N 類別：碳化硅二極管最小包裝：800/圓盤參數1：IF:10A 參數2：VR:650V 參數3：VF:1.51V 參數4：二極管配置:獨立式標價：歡迎咨詢

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產品介紹

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該碳化硅二極管采用獨立式配置，具備10A的正向電流（IF）和650V的反向重復峰值電壓（VR），正向壓降（VF）為1.51V。其基于碳化硅材料的特性，具有優異的開關性能和較高的工作溫度能力，適用于需要高效能與緊湊設計的電力轉換場合。器件在高頻率整流、電源適配器、光伏逆變以及儲能系統中表現出良好的穩定性和低損耗特性，是現代電力電子設計中實現高效率和高可靠性的關鍵元件之一。

企業聯系方式

深圳市華軒陽電子有限公司

高新企業

聯系人：張婉儀
聯系電話：18929373249
聯系地址：深圳市福田區中航路7-1號鼎誠國際大廈2013-2014

S3D10065G-HXY_TO-263N_碳化硅二極管_HXY MOSFET(華軒陽電子)

品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-263N 類別：碳化硅二極管 最小包裝：800/圓盤 參數1：IF:10A 參數2：VR:650V 參數3：VF:1.51V 參數4：二極管配置:獨立式 標價：歡迎咨詢

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品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-263N 類別：碳化硅二極管最小包裝：800/圓盤參數1：IF:10A 參數2：VR:650V 參數3：VF:1.51V 參數4：二極管配置:獨立式標價：歡迎咨詢