E3M0120090D_TO-247_碳化硅場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)

品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-247 類別：碳化硅場效應管(MOSFET) 最小包裝：30/管裝參數1：ID:22A 參數2：VDSS:900V 參數3：RDON:120mR 參數4：TYPE:N-ch 標價：歡迎咨詢

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產品介紹

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本產品為900V N溝道碳化硅場效應管（MOSFET），采用高性能碳化硅半導體材料，具備出色的耐高壓與導熱能力。其漏源導通電阻（RDON）為120毫歐，在高溫環境下仍能保持穩定導通性能，降低能量損耗。額定漏極電流（ID）為22A，適用于中高功率電源系統。該器件具備快速開關響應特性，可廣泛應用于高效能電源轉換設備，如太陽能逆變器、儲能電源管理系統及高頻開關電源，為系統提供高效、可靠的核心支持。

企業聯系方式

深圳市華軒陽電子有限公司

高新企業

聯系人：張婉儀
聯系電話：18929373249
聯系地址：深圳市福田區中航路7-1號鼎誠國際大廈2013-2014

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品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-247 類別：碳化硅場效應管(MOSFET) 最小包裝：30/管裝 參數1：ID:22A 參數2：VDSS:900V 參數3：RDON:120mR 參數4：TYPE:N-ch 標價：歡迎咨詢

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品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-247 類別：碳化硅場效應管(MOSFET) 最小包裝：30/管裝參數1：ID:22A 參數2：VDSS:900V 參數3：RDON:120mR 參數4：TYPE:N-ch 標價：歡迎咨詢