IV1Q12017T4G_TO-247-4L_碳化硅場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)

品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-247-4L 類別：碳化硅場效應管(MOSFET) 最小包裝：30/管裝參數1：ID:120A 參數2：VDSS:1200V 參數3：RDON:16mR 參數4：TYPE:N-ch 標價：歡迎咨詢

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產品介紹

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本產品為1200V N溝道碳化硅場效應管（MOSFET），基于碳化硅材料打造，具備優異的導熱性、耐高溫性及高擊穿電壓能力。器件漏極電流ID可達120A，導通電阻RDON低至16mΩ，顯著降低導通損耗，提升系統能效。適用于高功率、高頻率的電力轉換系統，如大功率電源設備、能源存儲變換器及智能電網控制單元，能夠在復雜電氣環境下實現高效、穩定的運行表現。

企業聯系方式

深圳市華軒陽電子有限公司

高新企業

聯系人：張婉儀
聯系電話：18929373249
聯系地址：深圳市福田區中航路7-1號鼎誠國際大廈2013-2014

IV1Q12017T4G_TO-247-4L_碳化硅場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)

品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-247-4L 類別：碳化硅場效應管(MOSFET) 最小包裝：30/管裝 參數1：ID:120A 參數2：VDSS:1200V 參數3：RDON:16mR 參數4：TYPE:N-ch 標價：歡迎咨詢

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品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-247-4L 類別：碳化硅場效應管(MOSFET) 最小包裝：30/管裝參數1：ID:120A 參數2：VDSS:1200V 參數3：RDON:16mR 參數4：TYPE:N-ch 標價：歡迎咨詢