S1M014120H_TO-247-4L_碳化硅場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)

品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-247-4L 類別：碳化硅場效應管(MOSFET) 最小包裝：30/管裝參數1：ID:165A 參數2：VDSS:1200V 參數3：RDON:13mR 參數4：TYPE:N-ch 標價：歡迎咨詢

分享到

產品介紹

-------<點擊了解更多 + 購買>-------

本產品為1200V高壓碳化硅N溝道場效應晶體管（MOSFET），最大漏極電流可達165A，導通電阻低至13mΩ，具備優異的電流承載能力和導通效率。基于碳化硅材料，該器件在高溫和高壓環境下仍能保持穩定工作，適用于高效電源轉換系統，如光伏逆變器、儲能系統、高密度電源模塊及智能電網設備。其高頻開關特性有助于提升整體系統效率，同時降低能量損耗和散熱需求，標準封裝設計便于集成與應用。

企業聯系方式

深圳市華軒陽電子有限公司

高新企業

聯系人：張婉儀
聯系電話：18929373249
聯系地址：深圳市福田區中航路7-1號鼎誠國際大廈2013-2014

<sup id="7iwfy"></sup>

<ol id="7iwfy"></ol>

S1M014120H_TO-247-4L_碳化硅場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)

品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-247-4L 類別：碳化硅場效應管(MOSFET) 最小包裝：30/管裝 參數1：ID:165A 參數2：VDSS:1200V 參數3：RDON:13mR 參數4：TYPE:N-ch 標價：歡迎咨詢

分享到

品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-247-4L 類別：碳化硅場效應管(MOSFET) 最小包裝：30/管裝參數1：ID:165A 參數2：VDSS:1200V 參數3：RDON:13mR 參數4：TYPE:N-ch 標價：歡迎咨詢