BCZ120N21M1_TO-247-4L_碳化硅場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)

品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-247-4L 類別：碳化硅場效應管(MOSFET) 最小包裝：30/管裝參數1：ID:81A 參數2：VDSS:1200V 參數3：RDON:21mR 參數4：TYPE:N-ch 標價：歡迎咨詢

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產品介紹

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本產品為1200V碳化硅N溝道場效應晶體管（MOSFET），具有高耐壓、低導通電阻和大電流承載能力。其最大漏極電流ID為81A，導通電阻RD(ON)低至21mΩ，有助于顯著減少導通損耗，提升系統能效。基于碳化硅材料的特性，該器件具備優異的熱導性能和高頻開關能力，適用于高功率密度、高效率的電力電子系統。可廣泛應用于高效電源轉換、新能源系統、儲能設備及精密電力控制等場景，滿足高性能與高可靠性需求。

企業聯系方式

深圳市華軒陽電子有限公司

高新企業

聯系人：張婉儀
聯系電話：18929373249
聯系地址：深圳市福田區中航路7-1號鼎誠國際大廈2013-2014

BCZ120N21M1_TO-247-4L_碳化硅場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)

品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-247-4L 類別：碳化硅場效應管(MOSFET) 最小包裝：30/管裝 參數1：ID:81A 參數2：VDSS:1200V 參數3：RDON:21mR 參數4：TYPE:N-ch 標價：歡迎咨詢

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品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-247-4L 類別：碳化硅場效應管(MOSFET) 最小包裝：30/管裝參數1：ID:81A 參數2：VDSS:1200V 參數3：RDON:21mR 參數4：TYPE:N-ch 標價：歡迎咨詢