IPD65R380E6ATMA1-HXY_TO-252-2L_碳化硅場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)

品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-252-2L 類別：碳化硅場效應管(MOSFET) 最小包裝：2500/圓盤參數1：ID:15A 參數2：VDSS:650V 參數3：RDON:260mR 參數4：VGS:-5~+16V 標價：歡迎咨詢

分享到

產品介紹

-------<點擊了解更多 + 購買>-------

本款N溝道碳化硅MOSFET具備650V漏源電壓（VDSS）和15A連續漏極電流（ID）能力，導通電阻低至260mΩ，可有效減少導通損耗，提升系統能效。柵源電壓范圍為-5V至!6V，支持穩定驅動與安全關斷。依托碳化硅材料的高耐壓與低損耗特性，該器件適用于高頻開關環境，常見于高效電源轉換電路、不間斷電源系統、可再生能源發電單元以及高功率密度DC-DC變換器中，滿足對熱性能和轉換效率要求較高的設計需求，有助于實現緊湊型、高可靠性電源方案。

企業聯系方式

深圳市華軒陽電子有限公司

高新企業

聯系人：張婉儀
聯系電話：18929373249
聯系地址：深圳市福田區中航路7-1號鼎誠國際大廈2013-2014

IPD65R380E6ATMA1-HXY_TO-252-2L_碳化硅場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)

品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-252-2L 類別：碳化硅場效應管(MOSFET) 最小包裝：2500/圓盤 參數1：ID:15A 參數2：VDSS:650V 參數3：RDON:260mR 參數4：VGS:-5~+16V 標價：歡迎咨詢

分享到

品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-252-2L 類別：碳化硅場效應管(MOSFET) 最小包裝：2500/圓盤參數1：ID:15A 參數2：VDSS:650V 參數3：RDON:260mR 參數4：VGS:-5~+16V 標價：歡迎咨詢