IV1D06006F5_DFN8X8_碳化硅二極管_HXY MOSFET(華軒陽(yáng)電子)

品牌：HXY MOSFET(華軒陽(yáng)電子) 封裝：DFN8X8 類(lèi)別：碳化硅二極管最小包裝：3000/圓盤(pán) 參數(shù)1：IF:6A 參數(shù)2：VR:650V 參數(shù)3：VF:1.32V 參數(shù)4：二極管配置:獨(dú)立式標(biāo)價(jià)：歡迎咨詢(xún)

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產(chǎn)品介紹

該碳化硅二極管為獨(dú)立式配置，具備6A的正向電流（IF）和650V的反向重復(fù)峰值電壓（VR），正向壓降（VF）低至1.32V。采用碳化硅材料，具備優(yōu)異的熱穩(wěn)定性和快速開(kāi)關(guān)特性，可有效降低開(kāi)關(guān)損耗并提升系統(tǒng)整體能效。其低反向漏電流和高耐溫能力支持在高頻率、高功率密度環(huán)境下穩(wěn)定運(yùn)行。適用于高性能電源轉(zhuǎn)換系統(tǒng)，如高效開(kāi)關(guān)電源、不間斷電源模塊及可再生能源逆變裝置，滿足對(duì)功率密度與長(zhǎng)期可靠性有較高要求的電力電子應(yīng)用。

企業(yè)聯(lián)系方式

深圳市華軒陽(yáng)電子有限公司

高新企業(yè)

聯(lián) 系人：張婉儀
聯(lián)系電話：18929373249
聯(lián)系地址：深圳市福田區(qū)中航路7-1號(hào)鼎誠(chéng)國(guó)際大廈2013-2014

IV1D06006F5_DFN8X8_碳化硅二極管_HXY MOSFET(華軒陽(yáng)電子)

品牌：HXY MOSFET(華軒陽(yáng)電子) 封裝：DFN8X8 類(lèi)別：碳化硅二極管 最小包裝：3000/圓盤(pán) 參數(shù)1：IF:6A 參數(shù)2：VR:650V 參數(shù)3：VF:1.32V 參數(shù)4：二極管配置:獨(dú)立式 標(biāo)價(jià)：歡迎咨詢(xún)

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品牌：HXY MOSFET(華軒陽(yáng)電子) 封裝：DFN8X8 類(lèi)別：碳化硅二極管最小包裝：3000/圓盤(pán) 參數(shù)1：IF:6A 參數(shù)2：VR:650V 參數(shù)3：VF:1.32V 參數(shù)4：二極管配置:獨(dú)立式標(biāo)價(jià)：歡迎咨詢(xún)