S3D08065G-HXY_TO-263N_碳化硅二極管_HXY MOSFET(華軒陽電子)

品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-263N 類別：碳化硅二極管最小包裝：800/圓盤參數1：IF:8A 參數2：VR:650V 參數3：VF:1.42V 參數4：二極管配置:獨立式標價：歡迎咨詢

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產品介紹

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該碳化硅二極管為獨立式結構，額定正向電流（IF）為8A，反向重復峰值電壓（VR）達650V，正向壓降（VF）低至1.42V。基于碳化硅半導體材料，具備優異的開關特性，反向恢復時間極短，開關損耗顯著低于傳統硅二極管。器件耐高溫性能良好，可在較高工作溫度下保持穩定。適用于高效率電源轉換系統，如通信電源、服務器電源、可再生能源逆變裝置以及高密度直流-直流變換器。其高頻工作能力有助于減小外圍濾波元件的體積，提升系統整體功率密度與能效水平。

企業聯系方式

深圳市華軒陽電子有限公司

高新企業

聯系人：張婉儀
聯系電話：18929373249
聯系地址：深圳市福田區中航路7-1號鼎誠國際大廈2013-2014

S3D08065G-HXY_TO-263N_碳化硅二極管_HXY MOSFET(華軒陽電子)

品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-263N 類別：碳化硅二極管 最小包裝：800/圓盤 參數1：IF:8A 參數2：VR:650V 參數3：VF:1.42V 參數4：二極管配置:獨立式 標價：歡迎咨詢

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品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-263N 類別：碳化硅二極管最小包裝：800/圓盤參數1：IF:8A 參數2：VR:650V 參數3：VF:1.42V 參數4：二極管配置:獨立式標價：歡迎咨詢