CI08S65M3_TO-263N_碳化硅二極管_HXY MOSFET(華軒陽電子)

品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-263N 類別：碳化硅二極管最小包裝：800/圓盤參數1：IF:8A 參數2：VR:650V 參數3：VF:1.42V 參數4：二極管配置:獨立式標價：歡迎咨詢

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產品介紹

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本款碳化硅二極管采用獨立式結構，具備8A的正向平均電流（IF）和650V的反向重復峰值電壓（VR），正向壓降為1.42V。基于碳化硅半導體材料，具有優異的高溫工作性能、低反向漏電流和極短的反向恢復時間，適用于高頻開關環境。該器件可有效提升電源系統的轉換效率，降低熱損耗，減少外圍元件數量。其封裝形式支持高密度電路布局，廣泛用于高性能電源裝置，如通信基站電源、光伏逆變單元、高效率開關電源及儲能系統的能量轉換模塊。

企業聯系方式

深圳市華軒陽電子有限公司

高新企業

聯系人：張婉儀
聯系電話：18929373249
聯系地址：深圳市福田區中航路7-1號鼎誠國際大廈2013-2014

CI08S65M3_TO-263N_碳化硅二極管_HXY MOSFET(華軒陽電子)

品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-263N 類別：碳化硅二極管 最小包裝：800/圓盤 參數1：IF:8A 參數2：VR:650V 參數3：VF:1.42V 參數4：二極管配置:獨立式 標價：歡迎咨詢

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品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-263N 類別：碳化硅二極管最小包裝：800/圓盤參數1：IF:8A 參數2：VR:650V 參數3：VF:1.42V 參數4：二極管配置:獨立式標價：歡迎咨詢