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              IPAN60R280PFD7S-HXY_TO-220F_碳化硅場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
              
                       
                        
              
                            品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子)
                                                        封裝：TO-220F
                                                        類別：碳化硅場效應管(MOSFET)
                                                        最小包裝：50/管裝
                                                        參數1：ID:20A
                                                        參數2：VDSS:650V
                                                        參數3：RDON:160mR
                                                        參數4：VGS:-5~+16V
                                                        標價：歡迎咨詢
                        
              
                        
              
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              產品介紹
              
                
              
                    
              -------<點擊了解更多 + 購買>-------
              該N溝道碳化硅MOSFET具備650V的漏源擊穿電壓（VDSS）和20A的額定漏極電流（ID），導通電阻（RDS(on)）典型值為160mΩ，可有效降低導通損耗。柵源電壓范圍為-5V至!6V，支持穩定柵極驅動控制。基于碳化硅材料特性，器件具有優異的高頻開關能力與高溫工作穩定性，適用于高效率功率變換拓撲，如高頻DC-DC轉換器、大功率AC-DC電源模塊及可再生能源發電系統中的逆變單元，有助于提升系統功率密度與能量轉換效率。
                              
              
            
              
            
              
                
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